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Imagen NTLUS3C18PZTBG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUS3C18PZTBG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUS3C18PZTBG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 4.4A 6UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUS3C18PZTBG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

660mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerUFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1570pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 4.4A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.4A (Ta)

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