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Imagen NTLUS4195PZTAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTLUS4195PZTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUS4195PZTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUS4195PZTAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

600mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerUFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2A (Ta)

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