NTLUS4C16NTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTLUS4C16NTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 9.4A 6-UDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTLUS4C16NTAG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFN (1.6x1.6)
Serie

µCool™
RDS (Max) @Id, Vgs

11.4 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.37W (Ta)
Paquete / Cubierta

6-PowerUFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

690pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 9.4A (Ta) 2.37W (Ta) Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.4A (Ta)

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Envío
Forma de pago

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31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "NTLUS4C16NTAG".

NTLUS3A39PZTAG

Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.2A 6UDFN

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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