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1236701Imagen NTTD1P02R2AMI Semiconductor / ON Semiconductor

NTTD1P02R2

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NTTD1P02R2
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2P-CH 20V 1.45A 8MICRO
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / RoHS no conforme
  • Especificaciones
    NTTD1P02R2.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.4V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    Micro8™
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    160 mOhm @ 1.45A, 4.5V
  • Potencia - Max
    500mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
  • Otros nombres
    NTTD1P02R2OS
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    265pF @ 16V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    2 P-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.45A 500mW Surface Mount Micro8™
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.45A

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