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NTTD4401FR2

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Especificaciones

Número de pieza

NTTD4401FR2
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTTD4401FR2.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro8™
Serie

FETKY™
RDS (Max) @Id, Vgs

90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

780mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Otros nombres

NTTD4401FR2OS
NTTD4401FR2OS-ND
NTTD4401FR2OSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

750pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Isolated)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.4A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount Micro8™
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.4A (Ta)

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NTTD4401FR2G

Descripción: MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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