NTTFS3A08PZTAG

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Especificaciones

Número de pieza

NTTFS3A08PZTAG
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
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Descripción

MOSFET P-CH 20V 14A U8FL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NTTFS3A08PZTAG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-WDFN (3.3x3.3)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

6.7 mOhm @ 12A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

840mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

NTTFS3A08PZTAG-ND
NTTFS3A08PZTAGOSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5000pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 9A (Ta) 840mW (Ta) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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