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169270Imagen NVMFS6H800NT1GAMI Semiconductor / ON Semiconductor

NVMFS6H800NT1G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMFS6H800NT1G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRENCH 8 80V NFET
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    NVMFS6H800NT1G.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 330µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    2.1 mOhm @ 50A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-PowerTDFN, 5 Leads
  • Otros nombres
    NVMFS6H800NT1G-ND
    NVMFS6H800NT1GOSTR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    42 Weeks
  • Estado sin plomo
    Lead free
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    5530pF @ 40V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    80V
  • Descripción detallada
    N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    28A (Ta), 203A (Tc)

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