NVMS5P02R2G

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Especificaciones

Número de pieza

NVMS5P02R2G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

NVMS5P02R2G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.25V @ 250µA
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

33 mOhm @ 5.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

NVMS5P02R2GOSCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

14 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1900pF @ 16V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

35nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.95A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.95A (Ta)

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NVMFS6H800NT1G

Descripción: TRENCH 8 80V NFET

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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