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NVMS4816NR2G

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Especificaciones
  • Número de pieza
    NVMS4816NR2G
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    8-SOIC
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    10 mOhm @ 9A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    -
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1060pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    9.2nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    N-Channel 30V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-SOIC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    6.8A (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 5.6A 19A 5DFN

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