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Casa > Productos > Relés > Relés de potencia, más de 2 amperios > MT3B30C4
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MT3B30C4

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT3B30C4
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Activar Voltaje (Max)
    18 VDC
  • Voltaje de apagado (Min)
    2.4 VDC
  • Estilo de terminación
    Plug In, 11 Pin (Octal)
  • Tensión de conmutación
    400VAC - Max
  • Serie
    MT, SCHRACK
  • Tiempo de liberación
    10ms
  • Tipo de relé
    General Purpose
  • embalaje
    Bulk
  • Otros nombres
    8-1393090-9
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 60°C
  • Tiempo de funcionamiento
    15ms
  • Tipo de montaje
    Socketable
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Caracteristicas
    Diode, LED Indicator, Test Button
  • Descripción detallada
    General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 24VDC Coil Socketable
  • Clasificación de contacto (actual)
    4A
  • material de los contactos
    Silver Nickel (AgNi)
  • Formulario de contacto
    3PDT (3 Form C)
  • Voltaje de la bobina
    24VDC
  • Tipo de bobina
    Non Latching
  • Resistencia de la bobina
    475 Ohms
  • Potencia de la bobina
    1.2 W
  • corriente de la bobina
    50.0mA
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Descripción: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT3B6115

MT3B6115

Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Descripción: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Descripción: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Descripción: PARALLEL/PSRAM 80M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Descripción: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Descripción: PARALLEL/PSRAM 48M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Descripción: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT3B3024

MT3B3024

Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Descripción: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles

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