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3862290Imagen MT3S111P(TE12L,F)Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT3S111P(TE12L,F)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    MT3S111P(TE12L,F).pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    6V
  • Tipo de transistor
    NPN
  • Paquete del dispositivo
    PW-MINI
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    MT3S111P(TE12LF)CT
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • La figura de ruido (dB Typ @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    12 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ganancia
    10.5dB
  • Frecuencia - Transición
    8GHz
  • Descripción detallada
    RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 30mA, 5V
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    100mA

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Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
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MT3S111(TE85L,F)

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Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
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Descripción: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

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Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

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Fabricantes: Micron Technology
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Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

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Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
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Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

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