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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
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MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
  • Fabricante / Marca
    Micron Technology
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Serie
    *
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Otros nombres
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR-ND
    MT38W2011A90YZQXZI.X68TR
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Memory IC

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MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

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Descripción: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

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Descripción: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

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Descripción: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT3B3024

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Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
RFQ
MT3B30C4

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Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
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MT3B6115

MT3B6115

Descripción: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Fabricantes: Agastat Relays / TE Connectivity
Existencias disponibles
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

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Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

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Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

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Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

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Descripción: PARALLEL/PSRAM 80M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

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Descripción: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6

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Descripción: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
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MT38W1011A90YZQXZI.XB8

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Descripción: PARALLEL/PSRAM 48M

Fabricantes: Micron Technology
Existencias disponibles
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

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Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
MT38M4041A3034EZZI.XK6

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Descripción: IC FLASH RAM 256M PARALLEL

Fabricantes: Micron Technology
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RFQ
MT3S113(TE85L,F)

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Descripción: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

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MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

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Descripción: IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA

Fabricantes: Micron Technology
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