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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C16M32MD1-5BCN
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3199580Imagen AS4C16M32MD1-5BCNAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BCN

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320+
$3.532
640+
$3.402
1120+
$3.235
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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C16M32MD1-5BCN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C16M32MD1-5BCN.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Otros nombres
    1450-1120
  • Temperatura de funcionamiento
    -25°C ~ 85°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C16M16SA-6TAN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

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AS4C16M32MS-7BCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

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Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

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