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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C16M32MD1-5BINTR

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Imagen AS4C16M32MD1-5BINTR

Alliance Memory, Inc.

AS4C16M32MD1-5BINTR

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C16M32MD1-5BINTR
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C16M32MD1-5BINTR.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

15ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

SDRAM - Mobile LPDDR
Paquete del dispositivo

90-FBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

90-VFBGA
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

512Mb (16M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 200MHz 5ns 90-FBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

200MHz
Tiempo de acceso

5ns

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