Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C16M32MS-6BINTR
RFQs/Orden (0)
español
español
3332148Imagen AS4C16M32MS-6BINTRAlliance Memory, Inc.

AS4C16M32MS-6BINTR

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
1000+
$5.67
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C16M32MS-6BINTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    AS4C16M32MS-6BINTR.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    90-FBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (16M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-FBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "AS4C16M32MS-6BINTR".
AS4C1G8MD3L-12BCN

AS4C1G8MD3L-12BCN

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M16SA-7BCNTR

AS4C16M16SA-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C1G8MD3L-12BCNTR

AS4C1G8MD3L-12BCNTR

Descripción: IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M16SA-7TCNTR

AS4C16M16SA-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCNTR

AS4C16M32MD1-5BCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M16SA-7TCN

AS4C16M16SA-7TCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M16SA-7BCN

AS4C16M16SA-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MD1-5BIN

AS4C16M32MD1-5BIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MS-7BCN

AS4C16M32MS-7BCN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MD1-5BCN

AS4C16M32MD1-5BCN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C1M16S-6TIN

AS4C1M16S-6TIN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C1M16S-6TCN

AS4C1M16S-6TCN

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MS-7BCNTR

AS4C16M32MS-7BCNTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MS-6BIN

AS4C16M32MS-6BIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MSA-6BINTR

AS4C16M32MSA-6BINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M16SA-6TINTR

AS4C16M16SA-6TINTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MSA-6BIN

AS4C16M32MSA-6BIN

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C16M32MD1-5BINTR

AS4C16M32MD1-5BINTR

Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C1M16S-6TINTR

AS4C1M16S-6TINTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C1M16S-6TCNTR

AS4C1M16S-6TCNTR

Descripción: IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.