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AS4C32M16MD1-5BINTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C32M16MD1-5BINTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    15ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.9 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Paquete del dispositivo
    60-FBGA (8x9)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    60-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (32M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 512Mb (32M x 16) Parallel 200MHz 700ps 60-FBGA (8x9)
  • Frecuencia de reloj
    200MHz
  • Tiempo de acceso
    700ps

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Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
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AS4C32M16MD1-5BIN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 96FBGA

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AS4C32M16MD1-6BCN

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Descripción: IC DRAM 512M PARALLEL 60FPBGA

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AS4C32M16MSA-6BIN

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AS4C32M16SA-7BCN

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