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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > AS4C8M16MSA-6BIN
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4916980Imagen AS4C8M16MSA-6BINAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16MSA-6BIN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C8M16MSA-6BIN
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
  • Especificaciones
    AS4C8M16MSA-6BIN.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    SDRAM - Mobile
  • Paquete del dispositivo
    54-FBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-VFBGA
  • Otros nombres
    1450-1456
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Descripción detallada
    SDRAM - Mobile Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-FBGA (8x8)
  • Frecuencia de reloj
    166MHz
  • Tiempo de acceso
    5ns

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16D1-5BIN

AS4C8M16D1-5BIN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 60TFBGA

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

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AS4C8M16S-6BIN

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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