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Imagen AS4C8M16S-6BIN

Alliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-6BIN

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C8M16S-6BIN
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C8M16S-6BIN.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

2ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

54-TFBGA (8x8)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

54-TFBGA
Otros nombres

1450-1079
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

128Mb (8M x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TFBGA (8x8)
Frecuencia de reloj

166MHz
Tiempo de acceso

5ns

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