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1848617Imagen AS4C8M16S-7BCNAlliance Memory, Inc.

AS4C8M16S-7BCN

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C8M16S-7BCN
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    2ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    54-TFBGA (8x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    54-TFBGA
  • Otros nombres
    1450-1014
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    128Mb (8M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)
  • Frecuencia de reloj
    143MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns
AS4C8M16SA-6BAN

AS4C8M16SA-6BAN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M16S-6TINTR

AS4C8M16S-6TINTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-6TANTR

AS4C8M16SA-6TANTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
AS4C8M16S-7TCN

AS4C8M16S-7TCN

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16S-6TANTR

AS4C8M16S-6TANTR

Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16MSA-6BINTR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54FBGA

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AS4C8M16S-7BCNTR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C8M16S-6BIN

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA

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AS4C8M16S-6BINTR

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AS4C8M16SA-6BINTR

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AS4C8M16MSA-6BIN

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AS4C8M16S-6TCNTR

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-6TAN

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16S-6TAN

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Descripción: IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP

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AS4C8M16SA-6BIN

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AS4C8M16S-6TCN

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AS4C8M16S-6TIN

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