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Imagen AON1606_001

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON1606_001

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Especificaciones

Número de pieza

AON1606_001
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AON1606_001.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

3-DFN (1.0 x 0.60)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

275 mOhm @ 400mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

3-UFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

62.5pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

850nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 700mA (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount 3-DFN (1.0 x 0.60)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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