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3606972

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON1610

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Especificaciones

Número de pieza

AON1610
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4A 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON1610.pdf
2.AON1610.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-DFN (1.6x1.6)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

29 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-PowerUFDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

748pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount 6-DFN (1.6x1.6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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