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1201254Imagen AON3611Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

AON3611

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AON3611
  • Fabricante / Marca
    Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.AON3611.pdf
    2.AON3611.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Paquete del dispositivo
    8-DFN (2.9x2.3)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    50 mOhm @ 5A, 10V
  • Potencia - Max
    2.1W, 2.5W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SMD, Flat Lead
  • Otros nombres
    785-1570-2
    AON3611-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    26 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    170pF @ 15V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    10nC @ 10V
  • Tipo FET
    N and P-Channel, Common Drain
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    30V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5A, 6A

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