AON2812

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Especificaciones

Número de pieza

AON2812
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AON2812.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-DFN-EP (2x2)
Serie

AlphaMOS
RDS (Max) @Id, Vgs

37 mOhm @ 2A, 10V
Potencia - Max

2.5W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-UDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.5A 2.5W Surface Mount 6-DFN-EP (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A

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AON2801L

Descripción: MOSFET P-CH DUAL DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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