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AON5802BL

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Especificaciones

Número de pieza

AON5802BL
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH DUAL 30V 6DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-DFN (2x5)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 7A, 4.5V
Potencia - Max

1.6W
Paquete / Cubierta

6-VFDFN Exposed Pad
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A (Tc) 1.6W Surface Mount 6-DFN (2x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A (Tc)

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