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AON5802A

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Especificaciones

Número de pieza

AON5802A
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6-DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AON5802A.pdf
2.AON5802A.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

6-DFN-EP (2x5)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

20 mOhm @ 7.2A, 4.5V
Potencia - Max

1.7W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Otros nombres

785-1134-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1115pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

10.7nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.2A 1.7W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.2A

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AON5802B_101

Descripción: MOSFET N-CH DUAL DFN

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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