AOT15S60L

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Especificaciones

Número de pieza

AOT15S60L
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 15A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOT15S60L.pdf
2.AOT15S60L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

aMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs

290 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

208W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

785-1267-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

372pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15.6nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 15A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Tc)

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AOT15B65M1

Descripción: IGBT 650V 15A TO220

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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