AOTF10N60

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Especificaciones

Número de pieza

AOTF10N60
Fabricante / Marca

Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.AOTF10N60.pdf
2.AOTF10N60.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220-3F
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

26 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 10A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220-3F
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "AOTF10N60".

AOTF10T60P

Descripción: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Fabricantes: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

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