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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2N2907
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2N2907

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2N2907
  • Fabricante / Marca
    Central Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2N2907.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    40V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    1.6V @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-18
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1.8W
  • embalaje
    Bulk
  • Paquete / Cubierta
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
  • Otros nombres
    2N2907 PBFREE
    2N2907CS
  • Temperatura de funcionamiento
    -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    200MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 600mA 200MHz 1.8W Through Hole TO-18
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    100 @ 150mA, 10V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    20nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    600mA

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Descripción: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP

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Descripción: TRANS PNP 60V 0.6A

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Descripción: TRANS PNP 60V 0.6A TO-18

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Descripción: TRANS PNP 60V 0.6A SMD

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Fabricantes: Microsemi
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2N2907AE4

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Descripción: DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T

Fabricantes: Microsemi
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