CWDM305N TR13

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Especificaciones

Número de pieza

CWDM305N TR13
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CWDM305N TR13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOIC
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 2.9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

CWDM305N TR-ND
CWDM305N TR13 LEAD FREE
CWDM305N TR13 PBFREE
CWDM305NTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

560pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

6.3nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.8A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "CWDM305N TR13".

CWDM3011P TR13

Descripción: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC

Fabricantes: Central Semiconductor

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