TIP29B

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Especificaciones

Número de pieza

TIP29B
Fabricante / Marca

Central Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TIP29B.pdf
Modelo ECAD
Tensión - Colector-emisor (máx)

80V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 125mA, 1A
Tipo de transistor

NPN
Paquete del dispositivo

TO-220-3
Serie

-
Potencia - Max

30W
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

TIP29B PBFREE
TIP29BCS
Temperatura de funcionamiento

-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

3MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 1A 3MHz 30W Through Hole TO-220-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 200mA, 4V
Corriente - corte del colector (Max)

300µA
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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TIP29B

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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