CY14B104L-ZS45XC

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Especificaciones

Número de pieza

CY14B104L-ZS45XC
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY14B104L-ZS45XC.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

45ns
Suministro de voltaje

2.7 V ~ 3.6 V
Tecnología

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Paquete del dispositivo

44-TSOP II
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

4Mb (512K x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

NVSRAM
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 4Mb (512K x 8) Parallel 45ns 44-TSOP II
Número de pieza base

CY14B104
Tiempo de acceso

45ns

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Descripción: IC NVSRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

Fabricantes: Cypress Semiconductor

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