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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1041G30-10BVJXIT
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6872527Imagen CY7C1041G30-10BVJXITCypress Semiconductor

CY7C1041G30-10BVJXIT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    CY7C1041G30-10BVJXIT
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC SRAM 4M PARALLEL 48VFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
    2.CY7C1041G30-10BVJXIT.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    10ns
  • Suministro de voltaje
    2.2 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SRAM - Asynchronous
  • Paquete del dispositivo
    48-VFBGA (6x8)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    48-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    4Mb (256K x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    SRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    11 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 48-VFBGA (6x8)
  • Tiempo de acceso
    10ns

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL

Fabricantes: Cypress Semiconductor
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CY7C1041G18-15ZSXIT

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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Descripción: IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

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