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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > CY7C1041GN30-10VXIT

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Imagen CY7C1041GN30-10VXIT

Cypress Semiconductor

CY7C1041GN30-10VXIT

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Especificaciones

Número de pieza

CY7C1041GN30-10VXIT
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC SRAM 4M PARALLEL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

CY7C1041GN30-10VXIT.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

10ns
Suministro de voltaje

2.2 V ~ 3.6 V
Tecnología

SRAM - Asynchronous
Paquete del dispositivo

44-SOJ
Serie

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

4Mb (256K x 16)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

SRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

9 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 10ns 44-SOJ
Tiempo de acceso

10ns

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