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S25FS512SAGNFB010

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S25FS512SAGNFB010
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 512M SPI 133MHZ
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S25FS512SAGNFB010.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    -
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 2 V
  • Tecnología
    FLASH - NOR
  • Serie
    Automotive, AEC-Q100, FS-S
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    512Mb (64M x 8)
  • Interfaz de memoria
    SPI - Quad I/O, QPI
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NOR Memory IC 512Mb (64M x 8) SPI - Quad I/O, QPI 133MHz
  • Frecuencia de reloj
    133MHz

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S25FS512SDSBHA213

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 80MHZ

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 133MHZ

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S25FS512SAGNFV010

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 8WSON

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 133MHZ

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 80MHZ

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 24BGA

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Descripción: IC FLASH 512M SPI 133MHZ 16SOIC

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