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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S34MS02G200BHI003
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S34MS02G200BHI003

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S34MS02G200BHI003
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 2G PARALLEL
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S34MS02G200BHI003.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    45ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Serie
    MS-2
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (256M x 8)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 45ns
  • Tiempo de acceso
    45ns

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 67BGA

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Descripción: IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA

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