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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S34MS02G104BHV010
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2767311Imagen S34MS02G104BHV010Cypress Semiconductor

S34MS02G104BHV010

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Especificaciones
  • Número de pieza
    S34MS02G104BHV010
  • Fabricante / Marca
    Cypress Semiconductor
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC FLASH 2G PARALLEL 63BGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    S34MS02G104BHV010.pdf
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    45ns
  • Suministro de voltaje
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tecnología
    FLASH - NAND
  • Paquete del dispositivo
    63-BGA (11x9)
  • Serie
    MS-1
  • embalaje
    Tray
  • Paquete / Cubierta
    63-VFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 105°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Non-Volatile
  • Tamaño de la memoria
    2Gb (128M x 16)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    FLASH
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    FLASH - NAND Memory IC 2Gb (128M x 16) Parallel 45ns 63-BGA (11x9)
  • Tiempo de acceso
    45ns

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