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Casa > Productos > Circuitos integrados (ICS) > Memoria > S34MS08G201BHB000

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S34MS08G201BHB000

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Especificaciones

Número de pieza

S34MS08G201BHB000
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC FLASH 8G PARALLEL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

S34MS08G201BHB000.pdf
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

45ns
Suministro de voltaje

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnología

FLASH - NAND
Serie

Automotive, AEC-Q100, MS-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 105°C (TA)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Non-Volatile
Tamaño de la memoria

8Gb (1G x 8)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

FLASH - NAND Memory IC 8Gb (1G x 8) Parallel 45ns
Tiempo de acceso

45ns

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