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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2DB1119S-13

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Imagen 2DB1119S-13

Diodes Incorporated

2DB1119S-13

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Especificaciones

Número de pieza

2DB1119S-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

2DB1119S-13.pdf
Tensión - Colector-emisor (máx)

25V
VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA
Tipo de transistor

PNP
Paquete del dispositivo

SOT-89-3
Serie

-
Potencia - Max

1W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-243AA
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición

200MHz
Descripción detallada

Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 200MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce

140 @ 50mA, 2V
Corriente - corte del colector (Max)

100nA (ICBO)
Corriente - colector (Ic) (Max)

1A

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