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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2DB1182Q-13
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2814083Imagen 2DB1182Q-13Diodes Incorporated

2DB1182Q-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2DB1182Q-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 32V 2A TO252
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2DB1182Q-13.pdf
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    32V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    800mV @ 200mA, 2A
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    TO-252
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    10W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Otros nombres
    2DB1182Q-13DITR
    2DB1182Q13
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    110MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 2A 110MHz 10W Surface Mount TO-252
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    120 @ 500mA, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    1µA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    2A
  • Número de pieza base
    2DB1182

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