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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores bipolares (BJT)-Single > 2DB1132P-13
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2582501Imagen 2DB1132P-13Diodes Incorporated

2DB1132P-13

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Especificaciones
  • Número de pieza
    2DB1132P-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    2DB1132P-13.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    32V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo de transistor
    PNP
  • Paquete del dispositivo
    SOT-89-3
  • Serie
    -
  • Potencia - Max
    1W
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-243AA
  • Otros nombres
    2DB1132P-13-ND
    2DB1132P-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frecuencia - Transición
    190MHz
  • Descripción detallada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 32V 1A 190MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    82 @ 100mA, 3V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA (ICBO)
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    1A
  • Número de pieza base
    2DB1132

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