DMG3414UQ-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMG3414UQ-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG3414UQ-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 8.2A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

780mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

829.9pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4.2A (Ta) 780mW Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.2A (Ta)

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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