Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

*Nombre de la empresa
*Nombre
*Título

*Dirección de correo electrónico
*Número de teléfono

*País
*Ventana de contacto
*Fecha del evento

*Mensajes

Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.

Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMG4468LFG

RFQs/Orden (0)

español

español

3632855

Imagen DMG4468LFG

Diodes Incorporated

DMG4468LFG

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

1+

$0.41

10+

$0.336

100+

$0.229

500+

$0.172

1000+

$0.129

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

DMG4468LFG
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 7.62A 8DFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG4468LFG.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-DFN3030-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 11.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

990mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerUDFN
Otros nombres

1034-DMG4468LFGDIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

867pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.85nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.62A (Ta)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

Envío

Pago

Los siguientes son productos relacionados con "DMG4468LFG".

DMG4413LSS-13

Descripción: MOSFET P-CH 30V 10.5A SOP8L

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4800LSD-13

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4435SSS-13

Descripción: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG3N60SCT

DMG3N60SCT

Descripción: MOSFET N-CH 600V 3.3A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4511SK4-13

DMG4511SK4-13

Descripción: MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4466SSSL-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4406LSS-13

Descripción: MOSFET N CH 30V 10.3A 8-SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4466SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4710SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4496SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4712SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4407SSS-13

Descripción: MOSFET P-CH 30V 9.9A 8-SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4800LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG3420U-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 5.47A SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4468LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 9.7A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG3418L-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4468LFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4812SSS-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG3N60SJ3

DMG3N60SJ3

Descripción: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO251

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

DMG4800LK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated

Existencias disponibles

Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.

¡Síguenos!

Términos y condiciones Política de infracción Solicitar presupuesto Sobre nosotros Contáctenos Mapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.