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Imagen DMG4468LFG-7

Diodes Incorporated

DMG4468LFG-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMG4468LFG-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 7.62A DFN3030-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG4468LFG-7.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

U-DFN3030-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 11.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

990mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerUDFN
Otros nombres

DMG4468LFG-7DIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

867pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18.85nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 7.62A (Ta) 990mW (Ta) Surface Mount U-DFN3030-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.62A (Ta)

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