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Imagen DMG4800LK3-13

Diodes Incorporated

DMG4800LK3-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMG4800LK3-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 10A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG4800LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 9A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.71W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

DMG4800LK3-13DITR
DMG4800LK313
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

798pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.7nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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