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DMG7N65SCT

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMG7N65SCT
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 650V 7.7A TO220AB
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Contiene plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMG7N65SCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-220AB
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    125W (Tc)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    TO-220-3
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    22 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    886pF @ 50V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    25.2nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    650V
  • Descripción detallada
    N-Channel 650V 7.7A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    7.7A (Tc)

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