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Imagen DMG7702SFG-13

Diodes Incorporated

DMG7702SFG-13

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3000+

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Especificaciones

Número de pieza

DMG7702SFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG7702SFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

890mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

DMG7702SFG-13DI
DMG7702SFG-13DI-ND
DMG7702SFG-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4310pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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