DMG7401SFGQ-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMG7401SFGQ-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 9.8A PWRDI3333-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMG7401SFGQ-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 12A, 20V
La disipación de energía (máximo)

940mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

DMG7401SFGQ-7DIDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2987pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

58nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 20V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 9.8A (Ta) 940mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.8A (Ta)

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DMG6968UQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated

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