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DMN10H170SFDE-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN10H170SFDE-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN10H170SFDE-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    160 mOhm @ 5A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    660mW (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    6-UDFN Exposed Pad
  • Otros nombres
    DMN10H170SFDE-7DI
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    16 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1167pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    9.7nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.9A (Ta)

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

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