Para visitantes en ElectronicA 2024

¡Reserve su tiempo ahora!

Todo lo que se necesita es unos pocos clics para reservar su lugar y obtener el boleto de stand

Hall C5 Booth 220

Registro anticipado

Para visitantes en ElectronicA 2024
¡Están todos registrados! ¡Gracias por hacer una cita!
Le enviaremos los boletos de stand por correo electrónico una vez que hayamos verificado su reserva.
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > DMN10H220L-13
RFQs/Orden (0)
español
español
2925538Imagen DMN10H220L-13Diodes Incorporated

DMN10H220L-13

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles
10000+
$0.155
Consulta en línea
Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN10H220L-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN10H220L-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    SOT-23
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    220 mOhm @ 1.6A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    1.3W (Ta)
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Otros nombres
    DMN10H220L-13DITR
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    401pF @ 25V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    100V
  • Descripción detallada
    N-Channel 100V 1.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    1.4A (Ta)
  • Número de pieza base
    DMN10H220

Se informa que Kioxia recibirá la aprobación de listados ...

21/11/2024

La última plataforma óptica de silicio de Tower Semicondu...

20/11/2024

La industria se recupera lentamente.El proveedor epitaxial ...

19/11/2024

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

19/11/2024

The core value and future development trend of passive comp...

18/11/2024

Proveedor: una gran cantidad de componentes de la GPU de la...

18/11/2024

Taiwán, el valor de salida del semiconductor de China crec...

17/11/2024

Ampliando la producción de paneles OLED, LG Display invert...

15/11/2024

Amazon aumenta los esfuerzos para crear chips de IA persona...

14/11/2024

La ganancia neta del tercer trimestre de Pegatron fue de $ ...

13/11/2024

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

13/11/2024

Corea del Sur planea promulgar la Ley de Chip para contrarr...

13/11/2024
Envío
Pago
Los siguientes son productos relacionados con "DMN10H220L-13".
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220LQ-7

DMN10H220LQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SK3-13

DMN10H170SK3-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 12A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SK3Q-13

DMN10H170SK3Q-13

Descripción: MOSFET N-CHAN 61V 100V TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SVTQ-13

DMN10H170SVTQ-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SVTQ-7

DMN10H170SVTQ-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN1150UFL3-7

DMN1150UFL3-7

Descripción: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220LQ-13

DMN10H220LQ-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SFG-7

DMN10H170SFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.9A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220L-7

DMN10H220L-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220LVT-13

DMN10H220LVT-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SVT-13

DMN10H170SVT-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H700S-7

DMN10H700S-7

Descripción: MOSFET N-CHA 100V 700MA SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220LE-13

DMN10H220LE-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SVT-7

DMN10H170SVT-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SFDE-13

DMN10H170SFDE-13

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H700S-13

DMN10H700S-13

Descripción: MOSFET NCH 100V 700MA SOT23

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN1150UFB-7B

DMN1150UFB-7B

Descripción: MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H170SFDE-7

DMN10H170SFDE-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
DMN10H220LVT-7

DMN10H220LVT-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 1.87A TSOT26

Fabricantes: Diodes Incorporated
Existencias disponibles
RFQ
Como el único distribuidor público de mercado abierto, poseemos una combinación única de acceso global, experiencia en la industria manufacturera y calidad probada.Con esto, podemos crear soluciones personalizadas de cadena de suministro de extremo a extremo para el abastecimiento de componentes electrónicos y la gestión de inventario.
¡Síguenos!
Términos y condicionesPolítica de infracciónSolicitar presupuestoSobre nosotrosContáctenosMapa del sitio

Seleccione el idioma

Haga clic en el espacio para salir

Idioma actual

Elija su país o región.