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DMN1054UCB4-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN1054UCB4-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN1054UCB4-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @Id
    700mV @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±5V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    X1-WLB0808-4
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    42 mOhm @ 1A, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    740mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    4-XFBGA, WLBGA
  • Otros nombres
    DMN1054UCB4-7DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    20 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    908pF @ 6V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    15nC @ 4.5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    8V
  • Descripción detallada
    N-Channel 8V 2.7A (Ta) 740mW (Ta) Surface Mount X1-WLB0808-4
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    2.7A (Ta)

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